Китайская фирма Landau Flint впервые публично продемонстрировала прототип источника экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения, предназначенного для высокой точности фотолитографии в производстве микросхем. По данным участника мероприятия, на 26-й Китайской международной промышленной выставке в Шанхае компания представила образец, который по локализации системы и дизайну компонентов уже близок к решениям мировых лидеров.

По заявлению представителей Landau Flint, локализация критически важных элементов достигает около 90%, а большинство ключевых узлов разработано внутри компании. По словам сотрудников по выставке, прототип можно использовать для испытаний по экспонированию чипов, однако до серийного применения ещё далеко: подготовка к промышленному выпуску, по оценке собеседников, может занять от трёх до пяти лет.

Обсуждаемые характеристики прототипа включают в себя линию FlintNano LPP-OXXO — маломощную установку на базе лазерно-индуцированной плазмы — и более мощную систему FlintMicro-LPP Alpha01. По обнародованным данным, FlintNano LPP-OXXO использует лазер мощностью около 1000 ватт с диапазоном частот 1–20 кГц, а сами показатели EUV-излучения заявлены выше 15 ватт. Время непрерывной работы — свыше 100 часов; стабильность плазмы — около 3% RMS; энергетическая стабильность — около 5%.

Компания подчёркивает, что эти цифры пока не означают готовность к промышленной эксплуатации: требования коммерческих EUV-систем предусматривают источники мощности в сотни ватт и рассчитанность на длительную надёжную работу. В рамках проекта Landau Flint позиционируется как этап на пути развития инфраструктуры для производства передовых микросхем, а не готовое решение для рынка в ближайшие годы.