Компания Micron анонсировала новое поколение флеш-памяти NAND под названием G11. По данным 발표, производство этой памяти планируется развернуть во второй половине 2027 года, что подтверждает намерение производителя вывести в серию более 400-слойную архитектуру. Эти планы свидетельствуют о намерении Micron обойти предыдущее поколение и ускорить выпуск самых ёмких решений в ближайшие годы.

По заявлению пресс-службы, плотность хранения на единицу площади у G11 обещает быть примерно вдвое выше по сравнению с текущей NAND G9, которая насчитывает 276 слоёв. При этом пропускная способность ввода-вывода должна увеличиться примерно в полтора раза, а энергопотребление — снизиться более чем на 25%. Такой набор характеристик рассчитан на повышение эффективности работы с большими объёмами данных, в том числе в системах искусственного интеллекта.

После выхода G11 Micron планирует перейти к работе с новыми материалами с высокой подвижностью носителей заряда. Компания утверждает, что они позволят сделать архитектуру ячеек ещё более плотной и дополнительно снизят энергопотребление памяти. В контексте анонса также упомянуты решения для инфраструктуры ИИ: первый вариант ориентирован на максимальную производительность операций ввода-вывода и использует SLC-память напрямую для соединения с графическими процессорами; второй рассчитан на ещё более высокую пропускную способность и по концепции близок к архитектуре, известной как HBF, позволяющей создавать память с большой полосой пропускания.