Американский производитель памяти Micron Technology не считает архитектуру 4F2 безусловно выгодной для перехода в ближайшем будущем. По словам технического директора и главы инженерного отдела Micron Скотта де Бура, компания изучала возможность применения архитектуры ячеек 4F2 на протяжении более двадцати лет, но до сих пор не включает такую технологию в свои производственные планы. В качестве основного направления Micron обозначает развитие классической компоновки 6F2 и переход к памяти следующего поколения в формате 3D DRAM, а не к 4F2. Источник: цитаты де Бура приводятся в его интервью Nikkei и последующем анализе ситуации.

В то же время китайская CXMT заявляет о намерении вывести на рынок модули DDR5 RDIMM на базе архитектуры 4F2, что выглядит для некоторых наблюдателей как вынужденная реакция на ограничения доступа к импортному оборудованию и ограничения на создание более плотной укладки транзисторов альтернативными методами. По оценкам сторонних экспертов, CXMT не имеет полного доступа к нужному оборудованию, чтобы активно развивать другие подходы к размещению транзисторов и реализовывать более плотную упаковку памяти. Это подчеркивает различие между подходами Micron и CXMT: у Micron, по данным источников, есть больший комфорт в существующих технологиях.

По словам де Бура, разница между 4F2 и 6F2 не в очертанье «зеркал и дыма», а в характеристиках самой памяти. Он пояснил, что переход на 4F2 не гарантирует прироста ёмкости и что шаг размещения конденсаторов определяет плотность ячеек и итоговую ёмкость чипа. Дополнительная сложность и дороговизна технологии 4F2, а также физические законы масштабирования делают дальнейшее снижение шага размещения конденсаторов намного труднее по сравнению с распространением транзисторов. Поэтому Micron склоняется к 3D DRAM и к возможностям её дальнейшего развития вместорадикального перехода на 4F2.

Здесь упомянуты и технические детали, связанные с производством: этапы, на которых требуется EUV-литография, якобы совпадают у Micron с выбором между 4F2 и 6F2. В рамках текущих условий Micron имеет доступ к оборудованию EUV без экспортных ограничений через ASML, в отличие от ряда китайских производителей. Эти факторы также учитываются как часть стратегического выбора Micron.

Контекст и последствия: переход к 3D DRAM может означать задержку попыток внедрения 4F2 на глобальном рынке, где CXMT продолжает продвигать 4F2 в рамках санкций и ограничений. Если Micron действительно делает ставку на 3D DRAM, это может повлиять на соотношение сил на рынке памяти и на темпы внедрения 4F2 в других компаниях.