Samsung Electronics расширяет направление флеш‑памяти NAND, ориентированной на искусственный интеллект. По данным южнокорейского издания ZDNet, компания работает над тремя вариантами zNAND, каждый из которых нацелен на конкретную нагрузку: локальная обработка данных на устройствах, мгновенная передача массивов в дата‑центрах и ускорение инференса за счёт высокой скорости доступа к мелким блокам памяти. Такая структура призвана адаптировать память под задачи с критичными задержками, пропускной способностью и частотой обращений к данным. Источник указывает на запросы крупных клиентов на индивидуальные решения для оборудования. [источник: 0, 12]

Первый тип, zNAND‑O, уже анонсирован и предназначен для локального ИИ. В особенности здесь применяются сквозные кремниевые переходы Through‑Silicon Via (TSV), позволяющие разместить вертикально от четырёх до восьми кристаллов NAND‑памяти. Такая компоновка направлена на минимизацию задержек передачи данных между соседними компонентами и на повышение скорости работы и энергоэффективности по сравнению с традиционными схемами. Это сокращает путь данных и, как следствие, ускоряет вычисления в локальных системах. [источник: 9]

Второй тип, zNAND‑T, пока не анонсирован официально, но рассматривается как решение для высокой пропускной способности. По описанию, память zNAND‑T рассчитана на использование в мощных дата‑центрах, где требуется мгновенная передача больших массивов информации. Архитектура ориентирована на близость к концепции высокоскоростной флеш‑памяти (HBF) и обеспечивает широкий канал данных. [источник: 10]

Третий вариант, zNAND‑I, также пока не представлен, и он сфокусирован на скорости случайного доступа и многочисленных операциях ввода‑вывода в секунду (IOPS). Такой параметр критичен для задач ИИ‑инференса, где системе часто приходится обращаться к небольшим объёмам данных. Примеры — кеширование и прочие сценарии с частыми мелкими запросами. По описанию источника именно это направление должно удовлетворить спрос на увеличение частоты обращений к памяти. [источник: 11]