Micron объявила о резком шаге вперёд: вместо текущего G9 компания готовит 3D NAND поколения G11, где число слоёв превысит 400 против 276 у нынешнего. Производитель обещает не только увеличить плотность записи, но и поднять скорость передачи данных примерно на полтора раза, а энергопотребление при этом снизить. Массовый выпуск новой памяти запланирован на вторую половину 2027 года.

По словам Micron, переход на Gen 11 призван не столько расширить объём памяти, сколько усилить её пригодность для будущих ИИ‑систем. Подчёркнута связь между переходом на Gen11 и целью сохранить лидерство в области NAND, начиная с девятого поколения.

Эксперты отмечают, что оценочная плотность записи Gen11 может достигать около 42 Гбит/мм², однако это приблизительная цифра и сравнение между TLC и QLC напрямую некорректно. Micron не уточняла точный тип памяти в Gen11.

В Gen11 применяется технология wafer-on-wafer bonding, при которой массив ячеек и схема I/O производятся на отдельных пластинах и затем соединяются. Этот подход уже применяли YMTC, а затем — Kioxia, SanDisk и Samsung. Дополнительно заявлено о росте скорости интерфейса примерно на 50% по сравнению с G9: с 3,6 Гбит/с до около 5,4 Гбит/с, а энергозатраты на передачу бита — ниже более чем на четверть.