Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) на указанной стадии представил предварительный технологический процесс изготовления транзисторов с затвором, окружающим канал со всех сторон (gate-all-around, GAA), которому можно достигнуть класса 3 нм с помощью доступного DUV-оборудования. Об этом сообщает South China Morning Post по устным словам главного инженера Е Тяньчуня. Прямо отмечается, что разработка пока далека от массового производства, но демонстрирует попытку Китая обходить ограничения на поставки современного оборудования и способов массового выпуска передовых полупроводников без EUV-литографии. Эти заявления подтверждают блоки 9, 10 и 12.

По данным представителей института, концепция GAA не является прямой заменой EUV-литографии, а формой конструкции транзистора, где затвор охватывает канал со всех сторон. Приводится процесс многократной экспозиции и добавляются маски, что усложняет производство, повышает стоимость и вызывает дополнительные трудности с точностью совмещения слоёв и выходом годных кристаллов. Такая технология наглядно иллюстрирует попытку выполнить структуры уровня 3 нм при помощи уже доступного на рынке оборудования, что критически важно на фоне санкций и запрета на продажу китайским заказчикам EUV-литографических установок. Эти детали взяты из блоков 10 и 11.

Ситуацию дополнительно освещает то, что даже при успешном создании отдельных GAA-транзисторов полноценный технологический процесс требует освоения межсоединений и других слоёв, достижения стабильного выхода годных кристаллов и устойчивости производства. Эти нюансы подчёркиваются Е Тяньчунем и подтверждают, что путь к массовому выпуску остаётся неопределённым и требует испытаний на реальных производственных линиях. Сообщение приводится в блоках 12.

Контекст нарастающих ограничений в поставках оборудования в Китай усиливает интерес к альтернативным подходам к масштабированию чипов. В частности, в публикации отмечается, что компании, как Samsung и TSMC, уже применяют GAA-транзисторы в своих передовых процессах (3-нм и 2-нм), однако их решение является частью глобального технологического спектра и не отражает китайский автономный путь. Эти факты систематизированы в блоках 11 и 14, которые также подчеркивают, что обсуждаемые китайские разработки остаются экспериментальными и не готовыми к коммерческому внедрению на данный момент.