По данным Seoul Economic Daily, Samsung Electronics изучает возможность задействовать мощности TSMC для выпуска базовых кристаллов для памяти NVHBM, которая разрабатывается для Nvidia. Речь идёт о применении 3‑нм технологического процесса, однако официальных заявлений не опубликовано.

Заявление из той же публикации говорит, что Nvidia предложила Samsung, SK hynix и Micron использовать единый технологический процесс и унифицировать базовые кристаллы памяти на базе DRAM шестого поколения. В рамках архитектуры High Bandwidth Memory базовый кристалл служит связующим звеном между слоями памяти и другими элементами системы; в NVHBM утверждается, что его роль становится более значимой, что повышает требования к технологии производства.

По данным источников, Samsung после внутреннего рассмотрения приняла во внимание требования Nvidia, но продолжает оценку возможности выпуска базовых кристаллов на собственных мощностях. TrendForce добавляет, что компания рассматривает две альтернативы: либо собственное производство, либо закупку у TSMC в зависимости от потребностей заказчика. Эти сведения указывают на возможность привлечения внешнего подрядчика, однако конкретной договорённости на 18 октября не подтверждено.

На данный момент участие TSMC в производстве базовых кристаллов NVHBM для Nvidia остаётся неподтверждённой информацией со стороны отраслевых источников; официальных заявлений компаний, закрепляющих окончательную схему, пока не опубликовано.