По данным корейского источника Naver, память HBM4E от Samsung прошла тестирование у Nvidia, что позволяет Samsung стать потенциальным поставщиком для одной из самых престижных компаний на рынке. Речь идёт о квалификационных испытаниях, которые прошли чипы у Nvidia и ещё ряда крупных участников рынка, подтверждая интерес к данному ряду решений.

Сообщение дополняют детали: речь идёт о 12-слойной архитектуре HBM4E, и по сведениям того же источника к концу сентября чипы успешно квалифицировались у Nvidia и других крупных игроков, что свидетельствует о готовности к возможным заказам и интеграции в продукцию партнёров.

Характеристики памяти впечатляют: объём по 48 ГБ на каждый слой стека, передача данных достигает 14 Гбит/с на контакт при потенциальном росте до 16 Гбит/с, а суммарная пропускная способность достигает 3,6 ТБ/с. Это более чем на двадцать процентов превышает показатель HBM4, что может привлечь производителей графических процессоров и сопутствующей инфраструктуры.

Инновационность HBM4E подчеркнута тем, что чипы объединяют DRAM шестого поколения на уровне 10 нм с логическим кристаллом, выпущенным по техпроцессу 4 нм на линии Samsung Foundry, той же, что производит обычные SoC Exynos. Этот синергетический подход потенциально важен для крупных заказчиков, отмечают источники.