Американские санкции вынудили китайскую CXMT ускорить переход на более плотную архитектуру ячеек DRAM 4F2, чтобы претендовать на лидерство в выпуске DDR5. По словам компании, переход к 4F2 позволит увеличить плотность размещения ячеек на кристалле и объём хранимой информации в удельном выражении, что становится критичным на фоне ужесточённых ограничений и конкуренции со стороны Samsung Electronics и SK hynix. В конце прошлой недели CXMT публично заявила о намерении до конца текущего года начать выпуск DDR5 в исполнении RDIMM с передовой архитектурой ячеек 4F2, что должна вывести компанию вперёд в этой нише. В то же время представители отрасли отмечают, что такие планы выглядят как ответ на внешние ограничения, а не просто технологический выбор. sources: [0, 9]} ,{

С другой стороны, в публикациях экспертов подчеркивается, что переход CXMT связан не только с инновациями, но и с внешним давлением. Экономическая и технологическая стоимость 4F2 остаётся высокой: анализируемые материалы указывают на то, что CXMT пытается обойти ограничения, связанные с доступом к передовым литографическим мощностям США, в отличие от Samsung и SK hynix, которым санкции не столь ограничивают возможности. По мнению старшего аналитика Nomura Чана Вонь Чуна (Changwon Chung), у корейских производителей есть более лёгкие пути повышения плотности, которые они могут применить сначала, а затем переходить к более сложным решениям; у CXMT же ограничение в виде запрета на продажу необходимого оборудования вынуждает компанию идти по пути крайних мер. sources: [11]} ,{

Кроме того, в материалах отмечается, что Samsung и SK hynix изучают совместную работу над архитектурой 4F2 и вертикальной ориентацией канала транзисторов, а также активное исследование оборудования High-NA EUV ASML для уменьшения размеров транзисторов и повышения плотности. Cisco CXMT сейчас лишена доступа к более современным поколениям оборудования ASML, что усиливает её зависимость от сложной автоматизации и затрат на внедрение 4F2. Эти нюансы подчеркивают, что различия в доступе к технологическому оборудованию и технологиям напрямую влияют на динамику перехода к новой архитектуре. sources: [13]} ,{

Аналитики также акцентируют внимание на сопутствующих инженерных проблемах: при переходе на 4F2 и 3D DRAM необходим эффективный теплоотвод, и массовому выпуску памяти придётся сопоставлять увеличение плотности с решением задач охлаждения. Это ещё одна причина, по которой CXMT сталкивается с дополнительными вызовами, помимо исправления технологических ограничений и поставок оборудования. источники указывают на необходимость не только разработки архитектуры, но и организации выпуска с учётом тепловых нагрузок. sources: [12]} ,{