
Открываем твой цифровой клуб…
Игры и железо
Память типа HBM остаётся востребованной в ИИ-сегменте: по прогнозу TrendForce средняя цена реализации этих микросхем в следующем году вырастет примерно на 121% по сравнению с текущим годом. Эксперты подчёркивают, что спрос со стороны профильных ускорителей поддерживает интерес к HBM, что сочетается с дефицитом поставок на рынке. (Источники: 0, 8)
Причины резкого подорожания выделяются как сразу несколько факторов. Во-первых, на рынке сохраняется общий дефицит HBM. Во-вторых, доля более дорогой линии HBM4 возрастёт, что поднимет среднюю цену. Наконец, начиная со второй половины следующего года начнётся наращивание выпуска самой современной HBM4E, что тоже будет поднимать цены в среднем по рынку. (Источники: 8)
По отдельным сегментам рост будет заметен на примере конкретной номенклатуры: в текущем году 12-слойный чип HBM4 объёмом 36 гигабайт стоит около $600, а в следующем году его цена достигнет порядка $1300 — рост более чем вдвое, если служить ориентиром. Переход от HBM3E к HBM4 может повысить доходность поставок памяти, хотя условия контрактов могут варьироваться между покупателями и производителями. (Источники: 9)
Рынок HBM контролируют три компании — Micron, SK hynix и Samsung Electronics. По словам Micron, квоты на поставки на следующий год практически распределены, и ожидается заметное увеличение цен. Это позволит поднять доходность производства HBM в условиях высокого спроса на DRAM. Также отмечается, что у Micron уже распроданы все квоты на следующий год, а у конкурентов остаётся возможность влиять на цены. В контексте рынка Counterpoint Research, Samsung на фоне экспансии HBM4 сумела увеличить долю в стоимостном выражении с 21% до 33% во втором квартале; SK hynix снизилась с 58% до 50%, Micron — с 21% до 18%. Эти динамики подталкивают Samsung к активному наращиванию поставок и сертификации HBM4 и HBM4E. (Источники: 10, 11)
Эксперты предупреждают, что наращивание объёмов выпуска более дорогой памяти сталкивается с ограничениями по кремниевым пластинам, поскольку в стеке используется от 12 до 16 кристаллов. Ожидается, что в следующем году доля памяти HBM в мировом объёме DRAM приблизится к 30% — рост может привести к более высоким ценам для клиентов и к изменению баланса спроса между HBM и DDR в условиях ограниченной производственной мощности. (Источники: 13, 14)